1Т308В

1Т308В Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-4. Масса транзистора не более 2,2 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: ЖК3.365.120ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Основные технические характеристики транзистора 1Т308В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц); • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс