1Т313Б

1Т313Б Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», «В». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: ЖК3.365.161ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т313Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс