2Т313Б мет.

2Т313Б Транзисторы 2Т313Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» ЩЫ0.336.049ТУ; - приемка «ОСМ» ЩЫ0.336.049ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2SA537, 2N3672. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 120000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 150000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т313Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом