2Т839А

2Т839А Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.224ТУ. Зарубежный аналог: BUT56A. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т839А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом