2Т912А

2Т912А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры. Тип прибора указываются на корпусе. Транзисторы 2Т912А-5, 2Т912Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63). Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЖК3.365.241ТУ; - приемка «ОС» ЖК3.365.241ТУ, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N5535, 2N5536. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т912А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц